Güncel Paylaşım Merkezi

TUNEL DİYOT

Tunel diyoda, esaslarını 1958'de ilk ortaya koyan Japon Dr. Lee Esaki'nin adından esinlenerek "Esaki Diyodu" da denilmektedir. Belirli bir enerji seviyesi bulunan elektronlara, bu seviyenin üzerinde enerji uygulandığında yörünge değiştirmekte veya serbest hale geçmektedirler. Tunel diyodun çalışmasıda bu esasa dayanmaktadır.

Germanyum veya silikona galliyum-arsenid veya berilyum-altın katılarak elde edilen bir jonksiyon diyottur. Jonksiyon tabakasının kalınlığı 100 mikrondan daha ince olup, çok küçük gerilim uygulamasında bile çok süratli ve yoğun bir elektron geçisi sağlanmaktadır. Bu nedenle Tunel Diyot 10.000 MHz'e kadar ki çok yüksek frekans devrelerinde bilhassa amplifikatör ve osilatör elemanı olarak kullanılır. Tunel Diyodun gerilim-akım karakteristiği diğer diyotlarınkine benzemektedir.
İlk Tunel Diyotlar Germanyumdan yapılmış olup, seri halinde silikon Tunel Diyot yapımına 1965'lerde başlanmıştır.

Tunel Diyodun Diğer Diyotlardan Üstünlükleri

- Çok yüksek frekansta çalışabilir.
- Güç sarfiyatı çok düşüktür. 1 mW'ı geçmemektedir.


Tunel Diyodun Diğer Diyotlardan Eksik Yönleri

- Stabil değildir. Negatif dirençli olması nedeniyle kontrolü zordur.
- Arzu edilmeyen işaretlerede kaynaklık yapmaktadır.

Tunel Diyodun Başlıca Kullanım Alanları

- Yükselteç olarak kullanılması
- Osilatör olarak kullanılması
- Tunel diyodun anahtar olarak kullanılması